电阻法大尺寸SiC晶体生长设备
UK-T6
UK-T8
6吋电阻法碳化硅晶体生长设备UK-T6
1、完美解决了感应炉径向温度梯度大的技术难点，可实现径向温度梯度小和轴向温度梯度可控，晶体内部缺陷少， 良率高、重复性好；2、与传统工艺长达7-14天的晶体生长周期相比，UKING ERH SiC RV4.0设备晶体生长速度更快，整个过程可控制在7天之内；3、 自动化程度高，操控简单，有利于批量生产，提高晶体生长效率和稳定性。
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8吋电阻法碳化硅晶体生长设备UK-T8
1、完美解决了感应炉径向温度梯度大的技术难点，可实现径向温度梯度小和轴向温度梯度可控，晶体内部缺陷少， 良率高、重复性好；2、与传统工艺长达7-14天的晶体生长周期相比，UKING ERH SiC RV1.0设备晶体生长速度更快，整个过程可控制在7天之内；3、 自动化程度高，操控简单，有利于批量生产，提高晶体生长效率和稳定性。
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温度梯度控制优势
天博tb体育凭借多年的工艺技术经验，精准控制热场温度，确保晶体在生长过程中获得最佳温度梯度，提高了晶体的生长效率，还显著降低了生产成本。 -
籽晶粘接优势
公司独特的籽晶处理技术，减少了籽晶装配过程中人为因素对粘接的影响，提高粘接的成功率，解决了晶体生长过程中籽晶烧穿等问题。 -
综合成本优势
公司研发的电阻法碳化硅晶体生长设备配合晶体生长工艺，在确保品质的前提下，原材料利用率高，提升晶体厚度。
天博tb体育的解决方案
UKING SOLUTIONS
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发热部件
石墨加热器
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热场结构
PVT石墨热场
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温度梯度
容易调节
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晶体生长界面
接近平面
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晶体利用率
高
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晶体应力
应力较低
易加工
提高下游制程良率 -
6-8寸晶体生长
兼容
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单位晶片成本
低
电阻法大尺寸SiC晶体生长设备产品
6吋碳化硅晶体
8吋碳化硅晶体
6吋碳化硅晶体
碳化硅作为全球先进的第三代半导体材料，具有高热导率、高击穿电场强、高饱和电子漂移速度和高键合能等特性，碳化硅功率器件在耐高压、高频、高温以及大功率应用中具有显著优势。
8吋碳化硅晶体
碳化硅作为全球先进的第三代半导体材料，具有高热导率、高击穿电场强、高饱和电子漂移速度和高键合能等特性，碳化硅功率器件在耐高压、高频、高温以及大功率应用中具有显著优势。
碳化硅晶体生长过程
碳化硅晶体材料是种由碳和硅元素组成的宽禁带化合物半导体材料，其生产条件需要在2250°C以上的高温和接近真空的低压环境下，使固态原料升华，并在高温和浓度梯度的作用下，持续将碳、硅原子传输至位于石墨坩埚顶端的籽晶附近，进行晶体生长。
1.
碳化硅颗粒
Si+C=SiC
在晶体生长过程中，碳化硅（SiC）原料的粒度和纯度都会直接影响晶体质量。
2.
籽晶处理
独特的籽晶粘接技术
为籽晶粘接是晶体生长过程中的关键环节之一。为了获得高品质的晶体，公司采用独特籽晶处理工艺，满足高质量晶体生长要求。
3.
Uking电阻法
SiC晶体生长技术
在晶体生长过程中，通过精准控制热场温度和气氛来保证晶体生长的可靠性和稳定性。
碳化硅晶体检测报告
采用UKING电阻法碳化硅晶体生长设备生长的SiC晶体，其微管密度、位错密度和电阻率等指标均达到行业标准。
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