电阻法大尺寸SiC晶体生长设备

UK-T6

UK-T8

6吋电阻法碳化硅晶体生长设备UK-T6

1、完美解决了感应炉径向温度梯度大的技术难点,可实现径向温度梯度小和轴向温度梯度可控,晶体内部缺陷少, 良率高、重复性好;

2、与传统工艺长达7-14天的晶体生长周期相比,UKING ERH SiC RV4.0设备晶体生长速度更快,整个过程可控制在7天之内;

3、 自动化程度高,操控简单,有利于批量生产,提高晶体生长效率和稳定性。
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6吋电阻法碳化硅晶体生长设备

8吋电阻法碳化硅晶体生长设备UK-T8

1、完美解决了感应炉径向温度梯度大的技术难点,可实现径向温度梯度小和轴向温度梯度可控,晶体内部缺陷少, 良率高、重复性好;

2、与传统工艺长达7-14天的晶体生长周期相比,UKING ERH SiC RV1.0设备晶体生长速度更快,整个过程可控制在7天之内;

3、 自动化程度高,操控简单,有利于批量生产,提高晶体生长效率和稳定性。
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8吋电阻法碳化硅晶体生长设备
  • 温度梯度控制优势

    温度梯度控制优势

    天博tb体育凭借多年的工艺技术经验,精准控制热场温度,确保晶体在生长过程中获得最佳温度梯度,提高了晶体的生长效率,还显著降低了生产成本。
  • 籽晶粘接优势

    籽晶粘接优势

    公司独特的籽晶处理技术,减少了籽晶装配过程中人为因素对粘接的影响,提高粘接的成功率,解决了晶体生长过程中籽晶烧穿等问题。
  • 综合成本优势

    综合成本优势

    公司研发的电阻法碳化硅晶体生长设备配合晶体生长工艺,在确保品质的前提下,原材料利用率高,提升晶体厚度。
天博tb体育的解决方案
UKING SOLUTIONS
参数
  • 发热部件

    石墨加热器

  • 热场结构

    PVT石墨热场

  • 温度梯度

    容易调节

  • 晶体生长界面

    接近平面

  • 晶体利用率

  • 晶体应力

    应力较低
    易加工
    提高下游制程良率

  • 6-8寸晶体生长

    兼容

  • 单位晶片成本

电阻法大尺寸SiC晶体生长设备产品

6吋碳化硅晶体

8吋碳化硅晶体

6吋碳化硅晶体

碳化硅作为全球先进的第三代半导体材料,具有高热导率、高击穿电场强、高饱和电子漂移速度和高键合能等特性,碳化硅功率器件在耐高压、高频、高温以及大功率应用中具有显著优势。
6吋碳化硅晶体

8吋碳化硅晶体

碳化硅作为全球先进的第三代半导体材料,具有高热导率、高击穿电场强、高饱和电子漂移速度和高键合能等特性,碳化硅功率器件在耐高压、高频、高温以及大功率应用中具有显著优势。
8吋碳化硅晶体
碳化硅晶体生长过程
碳化硅晶体材料是种由碳和硅元素组成的宽禁带化合物半导体材料,其生产条件需要在2250°C以上的高温和接近真空的低压环境下,使固态原料升华,并在高温和浓度梯度的作用下,持续将碳、硅原子传输至位于石墨坩埚顶端的籽晶附近,进行晶体生长。
1.
碳化硅颗粒

Si+C=SiC

在晶体生长过程中,碳化硅(SiC)原料的粒度和纯度都会直接影响晶体质量。

2.
籽晶处理

独特的籽晶粘接技术

籽晶粘接是晶体生长过程中的关键环节之一。为了获得高品质的晶体,公司采用独特籽晶处理工艺,满足高质量晶体生长要求。

3.
Uking电阻法

SiC晶体生长技术

在晶体生长过程中,通过精准控制热场温度和气氛来保证晶体生长的可靠性和稳定性。

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碳化硅晶体检测报告

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采用UKING电阻法碳化硅晶体生长设备生长的SiC晶体,其微管密度、位错密度和电阻率等指标均达到行业标准。
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