大尺寸高质量碳化硅（SiC）晶体电阻法生长设备，具有温场控制精度高、晶体制备效率及质量高等特点，能够实现SiC晶体的高效、稳定、低缺陷生长。这是一款能够推动我国第三代半导体产业未来布局与竞争力的重大装备。

本项目的实施将为我国战略性新兴产业第三代半导体的发展提供重要保障，有利于推动第三代半导体在5G通信、射频器件、新能源汽车、智能电网、轨道交通等国家新兴产业的深入应用，符合苏州市2023年9月印发的《关于加快培育未来产业的工作意见》中“开展碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等单晶衬底及外延材料制备，推动宽禁带半导体电力电子器件、射频器件等关键部件研发及产业化……”的发展战略，促进江苏省产业结构的转型升级，确立苏州市在我国第三代半导体技术领域的领先地位。